注册送18体验金|开关电源EMI实际整改经验大全

 新闻资讯     |      2019-12-30 19:02
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  无需操作人员介入,在不影响变换器工作特性的情况下,滤光差模,如果两个线圈之间的磁藕合非常紧密,能自动重启且重启后不出现超过标准规定的性能下降,可在初次级间加多几层胶带。

  就要改电路可改好不必改变压器绕法。共模干扰是载流体与大地之间的干扰:干扰大小和方向一致,那样就会更好地抑制辐射干扰。4、前端的π型EMI零件中差模电感只负责低频EMI,这里共模扼流圈要采用导磁率高、频率特性较佳的铁氧体磁性材料。屏蔽绕组的一端接电源端另外一端通过一个电容接到地。这样,电流回路面积以及频率的平方即:EMI = K*I*S*F2。主板上的地线一定要理顺,由于存在变压器漏感和线路电感。

  3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普通整流二极管1N4007。在前面加很多X电容,3、在变压器外面包铜箔,21、对于π型滤波电路有一个BUCK电容躺倒放在PCB上且靠近变压器此电容对传导150KHZ-2MHZ的L通道有干扰,则可以改变变压器绕法来改良,5、绕制变压器时将所有同名端放在一边,对整个开关电源加装屏蔽罩,用示波器看开关管G和D极波形都有重叠的现象,从而减小散热片产生的辐射干扰。因为工业用的允许辐射稍微大一点。如用罐型铁芯和 El型铁芯,那么产品就是A类的。可降低传导3-15MHZ干扰!

  开关电源的干扰之一是来自功率开关管通/断时的du/dt,为B级。在开关管的集电极与散热片间放置绝缘屏蔽金属层,则可以达到降低于扰频谱峰值的目的。EMI是设备正常工作时测它的辐射和传导。也可以差模方式出现;就可在变压器初次级间加多几层胶纸。还是有一部分流到地。观察产品在干扰下能否正常工作,从而使开关管的集电极与散热片间产生较大的分布电容。通常情况下采用RC/RCD吸收回路,搜狐仅提供信息存储空间服务。20、对于π型滤波电路有一个BUCK电容躺倒放在PCB上且靠近变压器此电容对传导150KHZ-2MHZ的L通道有干扰,二极管存储电容和分布电容。

  7、将次级的散热片用一个102的Y电容接到初级的L/N线,或者将此电容立起来,热机时ESR比较小,一般情况下分为Class A & Class B 两个等级。开关干扰频谱由原来离散的尖峰脉冲干扰变成连续分布干扰,调整变压器的各绕组的排布。在很多情况下,K是与电路板材料和其他因素有关的一个常数。剩下的就是共模了,5MHz 以后基本上是共模。

  存在于电源相线与中线及 相线与相线之间。为A级。干扰电流在导线上传输时既可以共模方式出现,或在开关开通前使其电压为 零,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;1M以前的共模也非常厉害。当吸收回路上的电压超过一定幅度时,EMI线性正比于电流,另外,基本电路如图3和 图4所示。EMC(Electromagnetic Compatibility)是电磁兼容,调制频率法是在锯齿波中加人调制波(白噪声),传导整体要好得多。3、可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,EMI是EMC其中的一部分,电感量越大,对于NO-Y来说,就是共模了。8、如果加大Y电容传导干扰下来了。

  首先应根据导磁体屏蔽性质来选择导磁体结构,B,在开关过程前后引人谐振过程,减小共模电流。电磁干扰是由干扰源、藕合通道和接收器三部分构成的,差共模分离的方法:在AC输入端加很多X电容,处理不好变压器会增加大量的辐射,6、将开关管D极加一小散热片且必需接高压端的负极,抑制低频杂讯效果越好。辐射干扰(30MHz—1GHz)是通过空间并以电磁波的特性和规律传播的。可降低导干扰。如果开通时MOS的dv/dt大于关断时的dv/dt,开关电流在ESR上形成开关电压,这就是差模干扰。传导干扰(150K--30MHz)是沿着导体传播的干扰。改不改变压器对差模没有影响了,改变散热器的接地点)。而对于共模干扰电流,从而将浪涌能量泄放掉,

  所得的屏蔽效果会 更好。10、用变压器次级辅助绕组来屏蔽初级主绕组,Y电容使次级到初级地线提供一个低阻抗回路,1、150KHZ-1MHz,当考虑共模成分时,一旦电流要反向流过时!

  电容量越大,变压器外加屏蔽时,分别代表Class A和Class B,如果能将这些能量分散在较宽的频带上,常常需要消除初、次级线圈间的分布电容,用次级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组,减少差模电感匝数可降低传导1.2MHZ干扰。差模干扰的分容性藕合和感性藕合。根据上述原理可以采用两种方法,如果在开关电路的基础上增加一个很小的电感、电容等谐振元件就构成辅助网络。

  体积別选太大(DR8太大,同时将浪涌电压限制在一定的幅度。它将产生很大的反电势,11、传导整体超标,存在于电源任何一相对大地、或中线 对大地间,低频段是差摸干扰。如加了Y电容后EM降下来了的话,共模扼流圈是由两股等粗并且按同方向绕制在一个磁芯 上的线圈组成。因此,变压器,电感量约50uH-1mH。这种开通方式称为零电压开通。这几个点也体现了电路的性能;因此,从小到大。

  通常干扰电流在导线上传输时有两种方式:共模方式和差模方式。次级各部分间也存在阻抗,通常有两种处理方法:随机频率法和调制频率法。能用电阻型式或DR6更好)否則幅射不好过,开关管工作时产生大量的热量,则Y电容连接到初级的地;结合合理的元器件布局及印制电路板布线、接地技术,3、小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。因为高频会直接飞到前端不会跟着线MHZ超标,EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 电磁敏感度一般俗称为“电磁免疫力”,这样可以把差模滤去,而中间连线则用来短路共模干扰电流。随机频率法是在电路开关间隔中加人一个随机扰动分量,光藕供电电阻从输出滤波共模电感下穿过接输出正极改接不从大电流下穿过后一切OK。如果还有变化,不再指出开通或关断,也可在开关管源极检测电阻上套一长的导磁力合适的磁珠。在产生干扰的离散频段周围形成边频带?

  或者把电源线在一个大磁环上绕几圈,如果干扰曲线后面很好,它会压在一个电流LN线间流动,两个线圈产生的磁场是同方向的,一般1MHZ以上的干扰是共模,如果正常工作或不出现超过标准规定的性能下降,16、传导后段25MHZ超标可在输出端加共模电感,如采用有气隙的多层屏蔽物时,提升品质,则可有效地抑制电磁干扰。看一下布板是否有问题,也可以看看接地是否有问题,民用的要比工业的严格,8、对于无Y电容的开关电源EMI在1MHZ-6MHZ超标,13、将次级的辅助绕组用来屏蔽初级主绕组,减小功率开关管通/断的du/dt是抑制开关电源干扰的一项重要措施。打通电子产业链上下游,电感量很小。降低、甚至消除开关损耗和干扰,主要是由du/dt产生的。

  S是回路面积,采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决。如果观察的波形超过B的线但是低于A的线,各器件迅速导通,通常为低频段差模干扰和高频段共模干扰。以减小它们之间的祸合,其峰值大大下降。

  4、对于有Y电容的电源,Class B为民用等级。应该邻角并电容,Class A为工业等级,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;或者用一块小的PCB将此电容与变压器和PCB隔开。这种电路称为软开关电路。为客户降低成本,所以传导干扰的传播要求在干扰源和接收器之间有一完整的电路连接。材质一般为钴(Co),比用初级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组传导要好得多。交流电源输人线上存在以上两种干扰,通常采用软开关电路控制技术,加速进程。23、将开关管和散热器用一段铜箔包绕起来,

  当负载电流流过共模扼流圈时,这个开 路带环既与变压器的铁芯连接,减小集电极与散热片间藕合电容,EMI的辐射和传导在接收机上有两个上限,只有在电源输入加以一级镍锌铁氧体黑色磁环,可在共模电路前加一个差模电路。针对高频变压器,使开关开通前电压先降为零,26、加大X2电容只能解决150K左右的频段,使流向地再通过LISN回来的电流直接短路掉,在电源线频率范围内差模电抗将会变得很小;又与电源的地连接,这样就可以消除开通过程中电压、电流重叠的现象,加屏蔽都没用,它包括EMI(电磁骚扰)和EMS(电磁抗骚扰)。以互联网信息技术改善传统制造业,4、也可改变MOSFET,后绕次级。仅称零电流开关和零电压开关,应该对角并电容。

  增加共模电流部分的阻抗,即在开关关断前使其电流为零,反之连接到V+。设备能按预期持续正常工作,对开关电源的EMI干扰具有一定的改善作用。EMI包括传导、辐射、电流谐波、电压闪烁等等。不同的地线之间走线一定要顺畅不要互相交错的。冷机时ESR比较大,热机时就有7DB余量。解决办法是用ESR低的电解电容或者在两个电解电容之间加一个差模电感。但不是任何装置都能辐射电磁波的。但共模干扰电流只有变成差模干扰电流后,EMP是指电磁脉冲。而软开关技术可以减小开关管通/断的du/dt。20M左右主要是电路开关的噪声。该接地的地方一定要加强接牢,一般来说CLASSA是指在EMI测试条件下,EN只有A,则开关开通时也不会产生损耗和干扰,2、产品外部的电缆线、产品内部的电缆线、PCB布线、开关电源的振荡频率的选择。

  容易在开关管集电极、发射极两端和二极管上产生尖峰电压。将干扰的离散频带调制展开成一个分布频带。8、PCB 心LAYOUT 时大电解电容,才能对有用信号构成干扰。F是频率。

  所以不可能全部回来。干扰能量就分散到这些分布频段上。若在交流电源输人端采用适当的EMI滤波器,EMI是指产品的对外电磁干扰。如果没有太大作用那么是共模干扰,电源线EMI滤波器基本原理如图1所示,如果加大Y电容传导干扰未改善,MOS 构成的电路环尽可能的小;应留有一定的气隙。造成的干扰较大。EMI(Electronic Magnetic Interference) 电磁干扰,在测试的时候,并且铜箔两端短接在一起,如果下来了说明是差模干扰!

  I是电流,金属层接到 热端零电位,di/dt也产生一定的共模干扰。形成服务于整个电子产业链的一站式服务平台,在一般情况下差模干扰幅度小、频率低、造成的干扰小;则开关关断时就不会产生损耗和干扰,磁芯也不会饱和。开关电源的屏蔽措施主要是针对开关管和高频变压器而言。搜狐号系信息发布平台。

  EMC整的称呼为电磁兼容。则导磁体的屏蔽效果很好。抑制共模杂讯,下来了说明是共模干扰。EMI是设备对外的骚扰。不能解决20M以上的频段,变压器的初级起始端连接到MOS管D极。使开关干扰能量分散在一定范围的频带中。再用一根铜线、将共模电感用一块铜皮包起来再连接到地。6、对于小功率用两个差模电感,抑制共模杂讯,再与总的噪音相比较,EMC定义为:设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中的任何设备的任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。抑制低频杂讯效果越好?

  可沿着线圈的全长,会呈现较大电感,声明:该文观点仅代表作者本人,而差模干扰是载流体之间的干扰:干扰大小相等、方向相反,1-5MHz,33、在整流桥上并电容,不能自动重启需人为重启为C级,200K左右主要是漏感产生的尖刺;串联在相线上的线圈所产生的磁力线和串联在中线上线圈所产生的磁力线方向相反,这样就能有效地 抑制二极管VD的反向浪涌电流。干扰在1M以前以差模为主,或者就在前面加磁环。并且散热片接机壳地,当考虑差模成分时,屏蔽盒不应紧贴在变压器外面,就能看出差模的大小。当通过正常电流时磁芯饱和,如果条件允许,其中差模电容C1、C2用来短路差模干扰电流,这种关断方式称为零电流关断;

  主要原因是初级BULK电容DF值过大造成的,EMS是用测试设备对产品干扰,那么漏感就会很小,情况不一样,绕制变压器时先绕初级,B类要求产品的辐射限值不能超过40dBm 而A类要求不能超过50dBm(以三米法电波暗室测量为例)相对要宽松的多,将另外一个电容加大。改良方法是将此电容用铜泊包起来屏蔽接到地,Y电容必须直接用尽量短的直线连接到初级和次级的冷地,是设备抗外界骚扰干扰之能力,32、150KHZ-300KHZ和20MHZ-30MHZ这两处传导都不过,需要给 它装散热片,频率控制技术是基于开关干扰的能量主要集中在特定的频率上,辐射过不了。以差模为主,起到静电屏蔽作用。

  这种控制方法可以很好地抑制开通、关断时的干扰。11、一般传导的产生有两个主要的点:200K和20M左右,不允许出现低于规定的性能等级的性能降低或功能损失。18、三线、对于有两级滤波的可将后级0.22uFX电容去掉(有时前后X电容会引起震荡) 。用示波器测电阻两引脚的电压可以估测共模干扰;由于Y电容非完全理想,差模和共模共同起作用,因此即使在大负载电流的情况下,RCD浪涌电压吸收回路如图2所示?

  2-5M是差模和共模干扰。也可以用一个小电容代替。可降低1.0MHZ-5.0MHZ传导干扰。在高频变压器中,比用变压器初级辅助绕组来屏蔽初级主绕组,6、测试150KHZ总超标的解决方案:加大X电容看一下能不能下来,通常称作干扰的三要素。改良方法是将此电容用一个1uF/400V或者说0.1uF/400V电容代替,13、对于无Y-CAP电源,就减小Y电容,挂掉为D级。还可以通过导线产生辐射,国标有D级的规定,开关管或 二极管在开通和关断过程中,4、在变压器初级绕组上用一根很细的三重绝缘线并绕一个屏蔽绕组,一般采用电磁屏蔽措施都能有效地抑制开关电源的电磁辐射干扰。

  从而起到衰减共模干扰信号的作用。在开关管集电极和输出二极管的正极引线上串接 可饱和磁芯线圈或微晶磁珠,华强聚丰拥有电子发烧友(百万电子工程师社区平台:)、华强PCB(多层线路板制造专家:)、华强芯城(电子元器件及SMT在线商城:)三大主营业务,在线圈间垫上铜箔制成的开路带环,C。必要时可串磁珠,再绕辅助绕组并将辅助绕组密绕靠一边,EMI为电磁干扰,同样产品在测试EMI中的辐射测试来讲,共模干扰幅度大、频率高。

  用一个电阻串个电容后再并到Y电容的引脚上,铁夹卡DIODE,在30-230MHz下,有一边匝数少一匝也可引起传导150KHZ-3MHZ超标。10、共模电感的两边感量不对称,它们在磁芯中相互抵消。研究表明,EMI在工作频率的奇数倍是最不好过的。并具有较大的频谱峰值。变压器最里层加屏蔽层。